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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
9. コンタクトホール

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トランジスタのゲート、ソース、ドレインなどの電極を絶縁膜上に引き上げるため、絶縁膜に穴(コンタクトホール)を空け、W(タングステン)を埋め込みます。

プラグタングステン埋め込み:穴にタングステン埋め込みます。

プラグタングステン研磨:表面を研磨し余分なタングステン膜を除去し、穴の中だけにタングステンを残します。

索引

9-1. コンタクトホールレジストパターン形成

コンタクトホールのレジストパターンを形成します。


9-2. コンタクトホールエッチング

コンタクトホールレジストパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にコンタクトホールを形成します。エッチング後、レジストパターンは除去します。
非常に小さくて深い(アスペクト比が高い)穴であるため、穴の径、深さの管理には細心の注意を払う必要があります。


9-3. プラグタングステン埋め込み

シリコンウェハー表面にCVD法でタングステン膜を形成し、コンタクトホールに埋め込みます。


9-4. プラグタングステン研磨

表面を研磨し、余分なタングステン膜を除去し、コンタクトホールの中だけにタングステンを残します。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
| 10. メタル-1| 11. メタル-2|

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