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FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
9. コンタクトホール
トランジスタのゲート、ソース、ドレインなどの電極を絶縁膜上に引き上げるため、絶縁膜に穴（コンタクトホール）を空け、W（タングステン）を埋め込みます。
プラグタングステン埋め込み：穴にタングステン埋め込みます。
プラグタングステン研磨：表面を研磨し余分なタングステン膜を除去し、穴の中だけにタングステンを残します。
9-1. コンタクトホールレジストパターン形成
コンタクトホールのレジストパターンを形成します。
9-2. コンタクトホールエッチング
コンタクトホールレジストパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にコンタクトホールを形成します。エッチング後、レジストパターンは除去します。
非常に小さくて深い（アスペクト比が高い）穴であるため、穴の径、深さの管理には細心の注意を払う必要があります。
9-3. プラグタングステン埋め込み
シリコンウェハー表面にCVD法でタングステン膜を形成し、コンタクトホールに埋め込みます。
9-4. プラグタングステン研磨
表面を研磨し、余分なタングステン膜を除去し、コンタクトホールの中だけにタングステンを残します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|