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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
8. 絶縁膜

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ここからは、トランジスタなどの素子を接続する配線工程になります。

絶縁膜形成:CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。

絶縁膜研磨:ウェハー表面の凸凹を平坦化するため酸化膜を研磨します。

索引

8-1. 絶縁膜形成

シリコンウェハー表面に、CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。


8-2. 絶縁膜研磨

絶縁膜を形成しただけではウェハー表面は凸凹で、この後の加工に支障をきたします。平坦化するため、表面の酸化膜を研磨します。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
| 10. メタル-1| 11. メタル-2|

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