ホーム
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
8. 絶縁膜
ここからは、トランジスタなどの素子を接続する配線工程になります。
絶縁膜形成：CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。
絶縁膜研磨：ウェハー表面の凸凹を平坦化するため酸化膜を研磨します。
8-1. 絶縁膜形成
シリコンウェハー表面に、CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。
8-2. 絶縁膜研磨
絶縁膜を形成しただけではウェハー表面は凸凹で、この後の加工に支障をきたします。平坦化するため、表面の酸化膜を研磨します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
|
1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
|
10. メタル-1|
11. メタル-2|