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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
8. 絶縁膜
ここからは、トランジスタなどの素子を接続する配線工程になります。
絶縁膜形成:CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。
絶縁膜研磨:ウェハー表面の凸凹を平坦化するため酸化膜を研磨します。
8-1. 絶縁膜形成
8-2. 絶縁膜研磨
Process Flow(プロセスフロー)
FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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10. メタル-1|
11. メタル-2|