ホーム
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
1. 素子分離
トランジスタは、シリコンウェハー表面付近に作ります。
個々のトランジスタが独立して動作するよう、隣り合う他のトランジスタとの干渉を防止する必要があります。そのため、トランジスタを形成する領域を分離します。
その素子分離は、いくつかの方式があります。
ここで紹介しているのは、STI（Shallow Trench Isolation）という技術です。
1-1. 酸化+窒化膜成長
シリコンウェハーを酸化しシリコン酸化膜を形成し、続いてCVD法でシリコン窒化膜を形成します。
1-2. レジストパターン形成
レジストパターンを形成します。
1-3. 浅溝形成
レジストパターンをマスクにシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコンウェハーをエッチングし、浅い溝（trench、トレンチ）を掘ります。
溝を掘った後、レジストパターンは除去します。
1-4. 埋め込み酸化膜成長
CVD法で厚いシリコン酸化膜を形成し溝を埋めます。
1-5. 埋め込み酸化膜研磨
表面を研磨し余分なシリコン酸化膜を除去し、溝の中だけにシリコン酸化膜を残します。
1-6. 窒化膜除去
薬品処理でシリコン窒化膜を除去します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
|
1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
|
10. メタル-1|
11. メタル-2|