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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
4. LDD形成

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トランジスタの微細化にともなう弊害(動作速度が遅くなるなど)を回避するため、LDD(Lightly Doped Drain、低濃度不純物ドレイン)を形成します。
LDDは、エクステンションとも言います。

n-LDD:n-MOS領域にn型不純物(リン、ヒ素など)を注入します。

p-LDD:p-MOS領域にp型不純物(ボロンなど)を注入します。

索引

4-1. n-LDD

p-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、n-MOS領域にn型不純物(P リン、As ヒ素など)を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。


4-2. p-LDD

n-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、p-MOS領域にp型不純物(B ボロンなど)を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
| 10. メタル-1| 11. メタル-2|

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