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FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
4. LDD形成
トランジスタの微細化にともなう弊害（動作速度が遅くなるなど）を回避するため、LDD（Lightly Doped Drain、低濃度不純物ドレイン）を形成します。
LDDは、エクステンションとも言います。
n-LDD：n-MOS領域にn型不純物（リン、ヒ素など）を注入します。
p-LDD：p-MOS領域にp型不純物（ボロンなど）を注入します。
4-1. n-LDD
p-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、n-MOS領域にn型不純物（P リン、As ヒ素など）を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。
4-2. p-LDD
n-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、p-MOS領域にp型不純物（B ボロンなど）を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|