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BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
10. メタル-1

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絶縁膜を形成し、溝(トレンチ)を掘り、溝にCu(銅)を埋め込みます。
溝だけにCuを埋め込む方式をシングルダマシン(single damascene)と言います。

メタル-1Cu埋め込み:電気メッキでトレンチにCu膜を埋め込みます。

メタル-1Cu研磨:表面研磨でCu膜を除去し、溝の中だけにCuを残します。

索引

10-1. メタル-1絶縁膜成長

シリコンウェハー表面にCVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。


10-2. メタル-1トレンチレジストパターン形成

メタル-1トレンチ(溝)のレジストパターンを形成します。


10-3. メタル-1トレンチエッチング

メタル-1トレンチレジストパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にトレンチを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。


10-4. メタル-1Cu埋め込み

電気メッキでCu膜を形成し、トレンチに埋め込みます。


10-5. メタル-1Cu研磨

表面を研磨することで、余分なCu膜を除去し、トレンチの中だけにCuを残します。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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