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BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
10. メタル-1
絶縁膜を形成し、溝(トレンチ)を掘り、溝にCu(銅)を埋め込みます。
溝だけにCuを埋め込む方式をシングルダマシン(single damascene)と言います。
メタル-1Cu埋め込み:電気メッキでトレンチにCu膜を埋め込みます。
メタル-1Cu研磨:表面研磨でCu膜を除去し、溝の中だけにCuを残します。
索引
10-1. メタル-1絶縁膜成長
10-2. メタル-1トレンチレジストパターン形成
10-3. メタル-1トレンチエッチング
10-4. メタル-1Cu埋め込み
10-5. メタル-1Cu研磨
Process Flow(プロセスフロー)
FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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10. メタル-1|
11. メタル-2|