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BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
10. メタル-1
絶縁膜を形成し、溝（トレンチ）を掘り、溝にCu（銅）を埋め込みます。
溝だけにCuを埋め込む方式をシングルダマシン（single damascene）と言います。
メタル-1Cu埋め込み：電気メッキでトレンチにCu膜を埋め込みます。
メタル-1Cu研磨：表面研磨でCu膜を除去し、溝の中だけにCuを残します。
索引
10-1. メタル-1絶縁膜成長
シリコンウェハー表面にCVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。
10-2. メタル-1トレンチレジストパターン形成
メタル-1トレンチ（溝）のレジストパターンを形成します。
10-3. メタル-1トレンチエッチング
メタル-1トレンチレジストパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にトレンチを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。
10-4. メタル-1Cu埋め込み
電気メッキでCu膜を形成し、トレンチに埋め込みます。
10-5. メタル-1Cu研磨
表面を研磨することで、余分なCu膜を除去し、トレンチの中だけにCuを残します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|