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BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
11. メタル-2
絶縁膜を形成し、穴、溝を掘り、穴と溝にCu（銅）を埋め込みます。
穴と溝に同時にCuを埋め込む方式をデュアルダマシン（dual damascene）と言います。
メタル-2Cu埋め込み：電気メッキで穴と溝にCu膜を埋め込みます。
メタル-2Cu研磨：表面研磨でCu膜を除去し、穴と溝の中だけにCuを残します。
回路規模に応じて、“11-1.メタル-2絶縁膜成長”から“11-6. メタル-2Cu研磨”を繰り返し配線を積層します。
索引
11-1. メタル-2絶縁膜成長
シリコンウェハー表面に、CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。
11-2. メタル-2ヴィアホールレジストパターン形成
ヴィアホールのレジストパターンを形成します。
11-3. メタル-2ヴィアホールエッチング
ヴィアホールパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にヴィアホールを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。
11-4. メタル-2トレンチレジストパターン形成
メタル-2トレンチ（溝）のレジストパターンを形成します。
11-5. メタル-2トレンチエッチング
メタル-2トレンチパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にトレンチを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。
11-6. メタル-2Cu埋め込み
電気メッキでCu膜を形成し、ヴィアホール、トレンチに埋め込みます。
11-7. メタル-2Cu研磨
表面を研磨することで余分なCu膜を除去し、ヴィアホール、トレンチの中だけにCuを残します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|