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FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
5. サイドウォール
前記の「4. LDD形成」および、ゲート、ソース、ドレインのサリサイド形成（後述「5. シリサイド」）を成立させるため、ゲートの横方向（両サイド）の壁のみに酸化膜を形成します。
サイドウォール酸化膜成長：ウェハー全面に酸化膜を形成します。
サイドウォールエッチング：酸化膜に異方性（縦方向）のエッチングを施しゲート側壁のみに酸化膜を残します。
5-1. サイドウォール酸化膜成長
シリコンウェハー全面に、CVD法でシリコン酸化膜を形成します。
5-2. サイドウォールエッチング
全面に形成した酸化膜に異方性のエッチングを施すと、ゲート側壁のみに酸化膜を残すことができます。
このようなレジストパターンを用いないエッチングは、エッチバックと言います。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|