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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
5. サイドウォール

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前記の「4. LDD形成」および、ゲート、ソース、ドレインのサリサイド形成(後述「5. シリサイド」)を成立させるため、ゲートの横方向(両サイド)の壁のみに酸化膜を形成します。
サイドウォール酸化膜成長:ウェハー全面に酸化膜を形成します。 サイドウォールエッチング:酸化膜に異方性(縦方向)のエッチングを施しゲート側壁のみに酸化膜を残します。

索引

5-1. サイドウォール酸化膜成長

シリコンウェハー全面に、CVD法でシリコン酸化膜を形成します。


5-2. サイドウォールエッチング

全面に形成した酸化膜に異方性のエッチングを施すと、ゲート側壁のみに酸化膜を残すことができます。
このようなレジストパターンを用いないエッチングは、エッチバックと言います。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
| 10. メタル-1| 11. メタル-2|

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