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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
5. サイドウォール
前記の「4. LDD形成」および、ゲート、ソース、ドレインのサリサイド形成(後述「5. シリサイド」)を成立させるため、ゲートの横方向(両サイド)の壁のみに酸化膜を形成します。
サイドウォール酸化膜成長:ウェハー全面に酸化膜を形成します。
サイドウォールエッチング:酸化膜に異方性(縦方向)のエッチングを施しゲート側壁のみに酸化膜を残します。
5-1. サイドウォール酸化膜成長
5-2. サイドウォールエッチング
Process Flow(プロセスフロー)
FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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10. メタル-1|
11. メタル-2|