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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
6. ソースドレイン
n-MOS領域、p-MOS領域それぞれに、ソースとドレインを形成します。通常のトランジスタの場合、左右対称であるため形状は同じです。電源の接続方向によって、どちらがソースでドレインなのかが規定されます。
p-ソースドレイン:p-MOS領域にp型不純物(ボロンなど)を注入します。
n-ソースドレイン:n-MOS領域にn型不純物(リン、ヒ素など)を注入します。
6-1. p-ソースドレイン
6-2. n-ソースドレイン
Process Flow(プロセスフロー)
FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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10. メタル-1|
11. メタル-2|