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FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
6. ソースドレイン
n-MOS領域、p-MOS領域それぞれに、ソースとドレインを形成します。通常のトランジスタの場合、左右対称であるため形状は同じです。電源の接続方向によって、どちらがソースでドレインなのかが規定されます。
p-ソースドレイン：p-MOS領域にp型不純物（ボロンなど）を注入します。
n-ソースドレイン：n-MOS領域にn型不純物（リン、ヒ素など）を注入します。
6-1. p-ソースドレイン
n-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、p-MOS領域にp型不純物（B ボロンなど）を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。
6-2. n-ソースドレイン
p-MOS領域を覆うレジストパターンを形成し、n-MOS領域にn型不純物（P リン、As ヒ素など）を注入します。
注入後、レジストパターンは除去します。
Process Flow（プロセスフロー）
FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL（Back End of Line：配線工程、半導体製造前工程の後半）
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10. メタル-1|
11. メタル-2|