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三重富士通セミコンダクターがSuVolta社の超低消費電力技術の知的財産権を取得～超消費電力技術のさらなる進化でIoT社会に貢献～
三重富士通セミコンダクター株式会社
三重富士通セミコンダクター株式会社（本社：神奈川県横浜市、代表取締役社長：八木 春良、以下、三重富士通セミコンダクター）は本日、SuVolta, Inc.（本社：米国カリフォルニア州ロスガトス、CEO兼社長：Bruce McWilliams、以下、SuVolta）が保有するDeeply Depleted Channel™（DDC）トランジスタからなるPowerShrink™低消費電力CMOS技術に関する知的財産権を取得したことをお知らせします。
ファウンドリなど半導体製造会社に要求される技術の方向性は、従来の微細化だけではなく、今後、爆発的に成長するWearable、IoT（Internet of Things）などの新規市場に展開されるプロダクト性能の鍵を握る低消費電力化です。当社はかねてから超低消費電力プロセスを実現する技術として、SuVoltaが開発した、より小さなしきい値（Vt）ばらつきを持つDDCトランジスタからなるPowerShrink™低消費電力CMOS技術に注目し、当社の高度なプロセス技術と組み合わせる技術開発をSuVoltaと共同で推進してきました。その共同開発の成果として2013年9月から本技術を採用した55nm製品の量産を開始しております。
今回の知的財産権の取得により、既存プロセスのさらなる低消費電力技術の開発および40nmプロセスへの展開、WearableやIoT対応プロダクトに不可欠な不揮発性メモリ素子、RF素子を組み合わせたプラットフォームの構築を図ります。さらに、Extreme Low Power（当社LP比1/1000 Static leak power）のプラットフォーム構築によって、同世代で世界一（当社調べ）の超低消費電力技術を提供することで、お客様の製品の市場競争力および飛躍的な性能の向上を実現し、IoT社会の発展に貢献します。
関連リンク
- 富士通セミコンダクタープレスリリース「 DDC™テクノロジとフラッシュメモリの混載に成功」
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