三重富士通セミコンダクター株式会社

～日本初のファウンドリ専業メーカーがSuperFlash®メモリ開発に着手～

日本のファウンドリ専業メーカーである三重富士通セミコンダクター株式会社 ^（注1） （以下、MIFS）と、マイコン、ミックスドシグナル、アナログ、Flash-IPソリューションのリーディングプロバイダーであるMicrochip Technology Inc. ^（注2） （NASDAQ:MCHP）は、本日、MCHP社の子会社であるSilicon Storage Technology, Inc.(以下、SST社)からライセンスされるSuperFlash ^（注3） メモリ技術を使って、40nmテクノロジーで車載プラットフォームを開発する計画を発表しました。

今回発表した計画により、MIFSは日本で初めて業界標準のSuperFlashテクノロジー・プラットフォームを提供するファウンドリメーカーとなります。本技術は、IoT（Internet of Things）や高耐圧など多様なアプリケーションに応用が可能で、主にAEC-Q100（Grade1）準拠の車載向けアプリケーションに注力していきます。

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 千々岩雅弘のコメント

SST社と共同開発する機会を持つことができ、大変嬉しく思っております。昨今、我々のお客様は半導体製品を製造するのに海外に出ていかなければなりません。この新しいパートナーシップによって当社の提供可能性が広がることになり、既に多くの引き合いを頂いております。当社の高品質なファウンドリサービスとSST社のSuperFlashテクノロジーを組み合わせることで、車載やIoT、高耐圧などの市場において、お客様に優れた価値提供を行うことができるようになります。

Silicon Storage Technology Vice President Mark Reitenのコメント

40nm 組み込みフラッシュ・プラットフォームの開発においてSST社とMIFSが協力することで、市場に必要とされる素晴らしい製品を提供できると確信しています。このパートナーシップはSST社の業界標準SuperFlashテクノロジーとMIFSの車載市場における長年の経験を結び付けるまたとない機会です。

SST社の組み込みSuperFlashメモリソリューション特長について

SST社の組み込みSuperFlashメモリソリューションは低消費電力、高信頼性、高集積、また、性能重視型の集積回路設計を提供します。SuperFlashテクノロジーは独自のスプリットゲート型フラッシュメモリセルを基に開発され、以下の特長を有しています。

• 書き込み、消去、読み出しの低消費電力動作
• 高速読み出し可能な高いパフォーマンス
• 優れたスケーラビリティ（1umから28nmテクノロジーノードまで）
• 50万回におよぶ書き換え寿命
• 20年以上の優れたデータ保持特性
• 車載アプリケーションに対応した高温（Tj max＝150℃）での高いパフォーマンス
• ストレス誘起リーク電流に対する高い耐性

当プラットフォームは、2017年度第4四半期よりお客様のテストチップ用にご提供可能となる予定です。詳細は弊社ウェブサイトをご覧ください。
http://www.fujitsu.com/jp/group/mifs/

注釈

• 注1 三重富士通セミコンダクター株式会社
  本社：横浜市港北区、代表取締役社長：河野通有
• 注2 Microchip Technology Inc. 本社：アリゾナ州チャンドラー、CEO: Steve Sanghi
• 注3 SuperFlashはマイクロチップ・テクノロジー社およびシリコン・ストレージ・テクノロジー社の登録商標です。

関連リンク

• 「埋め込み不揮発性メモリ（eNVM）ソリューション」ページ
• Microchip Technologyサイト

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• 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

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