現代の消費者向け製品は、多様化が進む一方、ユニットの数量が減少するという課題に直面しています。
組み込み不揮発性メモリは、ファームウェアを更新することでさまざまなアプリケーションで使用できるため、この傾向を満たすことができます。
スマートカード、SIMカード、MCUなどの耐久性の高いアプリケーションには、eE2PROMまたはeFlashが最適です。
電源管理ICなどの中から低速の耐久性または密度のアプリケーションでは、eMTP を採用できます。
ワンタイムプログラマブルアプリケーションが必要な場合は、eOTPまたはeFuseを採用できます。
USJCは、eFlash, eOTP, eFuseを提供します。

USJC technologies specialty area chart

以下は、USJCのeNVMのデバイス提供表です。

Vt options

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
uLVT - V V
LVT - V V
RVT V V V
HVT V V V
uHVT V - -

1.8V IO

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
1.8V - - -
1.8 UD 1.5V - - -
1.8 UD 1.2V - - -

2.5V IO

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
2.5V - V V
2.5 UD 1.8V - V V
2.5 OD 3.3V - V V

3.3V/5V IO

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
3.3V V - -
5V V - -

SRAM

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
6T 0.522 um2 0.425 um2 0.242 um2
8T 1.354 um2 0.953 um2 0.477 um2

eFlash

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
FLOTOX V - -
Plug-In - V V

Mixed Signal Devices

Platform offering CU250F C55LP C40LP
Technology node 55㎚ 55㎚ 40㎚
Core Vcc (V) 1.2 1.2 1.1
Native Vt - V V
Bipolar V V V
Diodes V V V
5V LDMOS - V V
NCAP V V V
PCAP V V -
MOMCAP V V V
MIMCAP - V -
Resisters V V V
Inductors - V V