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FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
4. LDD形成
トランジスタの微細化にともなう弊害(動作速度が遅くなるなど)を回避するため、LDD(Lightly Doped Drain、低濃度不純物ドレイン)を形成します。
LDDは、エクステンションとも言います。
n-LDD:n-MOS領域にn型不純物(リン、ヒ素など)を注入します。
p-LDD:p-MOS領域にp型不純物(ボロンなど)を注入します。
4-1. n-LDD
4-2. p-LDD
Process Flow(プロセスフロー)
FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
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1. 素子分離|
2. ウェル+チャネル形成|
3. ゲート酸化+ゲート形成|
4. LDD形成|
5. サイドウォール|
6. ソースドレイン|
7. シリサイド|
8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|
BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
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10. メタル-1|
11. メタル-2|