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BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
11. メタル-2

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絶縁膜を形成し、穴、溝を掘り、穴と溝にCu(銅)を埋め込みます。
穴と溝に同時にCuを埋め込む方式をデュアルダマシン(dual damascene)と言います。
 メタル-2Cu埋め込み:電気メッキで穴と溝にCu膜を埋め込みます。
 メタル-2Cu研磨:表面研磨でCu膜を除去し、穴と溝の中だけにCuを残します。
回路規模に応じて、“11-1.メタル-2絶縁膜成長”から“11-6. メタル-2Cu研磨”を繰り返し配線を積層します。

索引

11-1. メタル-2絶縁膜成長

シリコンウェハー表面に、CVD法で厚いシリコン酸化膜などを形成します。


11-2. メタル-2ヴィアホールレジストパターン形成

ヴィアホールのレジストパターンを形成します。


11-3. メタル-2ヴィアホールエッチング

ヴィアホールパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にヴィアホールを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。


11-4. メタル-2トレンチレジストパターン形成

メタル-2トレンチ(溝)のレジストパターンを形成します。


11-5. メタル-2トレンチエッチング

メタル-2トレンチパターンをマスクにエッチング処理をおこない、絶縁膜にトレンチを形成します。
エッチング後、レジストパターンは除去します。


11-6. メタル-2Cu埋め込み

電気メッキでCu膜を形成し、ヴィアホール、トレンチに埋め込みます。


11-7. メタル-2Cu研磨

表面を研磨することで余分なCu膜を除去し、ヴィアホール、トレンチの中だけにCuを残します。

Process Flow(プロセスフロー)

FEOL(Front End of Line:基板工程、半導体製造前工程の前半)
| 1. 素子分離| 2. ウェル+チャネル形成| 3. ゲート酸化+ゲート形成| 4. LDD形成|
5. サイドウォール| 6. ソースドレイン| 7. シリサイド| 8. 絶縁膜|
9. コンタクトホール|

BEOL(Back End of Line:配線工程、半導体製造前工程の後半)
| 10. メタル-1| 11. メタル-2|

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