三重工場沿革(中国語)

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三重工場は、ロジック、バイポーラ、メモリの開発試作・量産の拠点として1984年に操業を開始し、30年以上に渡って、富士通および日本の半導体産業の成長に貢献してきました。その歩みを簡単にご紹介します。

1番館操業開始（1984年）

3番館操業開始（1991年）

300mm第2棟操業開始
（2007年）

当工場のあゆみ～半導体誕生の時代を経て、現在まで～

	富士通全体	三重工場
1950年代
’56年	川崎工場内にトランジスタ工場新設シリコントランジスタ第一号を製品化
’57年	国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成
1960年代
’63年	シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目
’66年	川崎工場に半導体製造クリーンルームが完成（日本初）ICの試作を開始
’67年	10月、会津工場開設 11月、音響機器、ダイオードの生産開始
’68年	世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成
1970年代
’70年	Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発福島県会津工場でIC生産を開始
’76年	コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立
’79年	CMOSゲートアレイの外販スタート
1980年代
’80年	5月、岩手工場開設。翌年、64K-DRAMの生産開始
’80年	半導体デバイスHEMTの製品化に成功
’81年	パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載
’83年	世界初のCMOS 256Kb EPROM発表
’84年	10月、若松工場開設。G/A、S/C、リニア等の生産開始	10月大容量メモリ・大規模ゲートアレイなどを試作・量産するため、三重工場を開設 150mm（1番館）操業開始
’85年		EPROM製品初出荷
’88年	5月、富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ（株）設立 10月、米Gresham工場開設。翌年、256K-DRAM、1M-DRAMの生産開始	9月 150mm（2番館）操業開始
1990年代
’91年	11月、英Durham工場開工式。同月、4M-DRAM初出荷	7月 200mm（3番館）操業開始
’92年	ガリウムヒ素(GaAs) ICの量産工場設立（世界初）スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発（世界初）
’95年	高性能プロセッサSPARC64を開発	三重工場でISO9001（1994年版）認証取得
’96年	フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを用いた露光技術の開発。0.13umルールのパターン形成に成功（世界初）	三重工場でISO14001（1996年版）認証取得
’98年		150mm（2番館）リニューアル（8インチ化）
’99年	システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ”FR-Vファミリー”を開発
2000年代
’00年	あきる野テクノロジセンター開設最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立
’03年	半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」（FIM）の設立
’04年	米国ラティスセミコンダクター社からFPGA製品の製造を受託 ISO14001(1996年版)富士通グループ統合認証取得	三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成（2005年4月より90nmで稼動）
’05年	「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞基地局と端末機器双方で使用できるWiMAX対応ベースバンドLSI開発（世界初） ISO14001(1996年版)富士通全社統合認証取得	90nmテクノロジーのロジックLSI生産拠点、三重工場300mm第1棟を稼働開始
’05年		9月 NAS電池導入
’06年	ISO14001(2004年版)富士通グループWORLD-WIDE統合認証取得	三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設（2007年4月より65nmで稼動）
’06年		9月モシス社が特許を持つ組み込みメモリ技術である「1T-SRAM(R)」を、65nmLSI製造プロセスでライセンスする契約を締結
’07年		65nmテクノロジー対応の三重工場300mm第2棟を稼働開始
’07年		濃厚フッ酸排水から高純度蛍石を生成回収成功
’08年	3月21日、LSI事業を会社分割により分社し、「富士通マイクロエレクトロニクス株式会社」（現富士通セミコンダクター株式会社）を設立
’08年		8月 ISO/TS16949取得
’09年	TSMCへの40nmロジックICの製造委託と、28nm以降の最先端技術での協業を発表
’09年		本社を横浜市に移転
2010年代
’10年	4月1日、「富士通セミコンダクター株式会社」へ社名変更	スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始
’11年	ARM社と包括的ライセンス契約を締結設計子会社2社の統合
’11年	米国SuVoltaの低消費電力CMOS技術「PowerShrink™」のライセンスを富士通セミコンダクターが受け、実用化に向け共同開発を開始
’12年	岩手工場を株式会社デンソーに譲渡富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社のLSI後工程製造拠点を株式会社ジェイデバイスへ譲渡	放流水監視用に飼育している「めだか」の繁殖に成功
’12年	6月 ISO/TS16949第三者認証機関の変更
’13年	マイコン・アナログ事業をSpansion社（現Cypress社）へ譲渡
		4月液化天然ガス（LNG）サテライト基地設置
		9月 DDCトランジスタ採用製品の量産を開始
		12月 DDCテクノロジーを適用したロジック回路とフラッシュメモリセルとを混載して製造する技術を開発
’14年	米Transphorm, Inc.と窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス事業で事業統合ファウンドリ新会社の事業を開始
’14年	8月、三重工場、会津工場のファウンドリ分社化、および台湾UMC社との40nmテクノロジーライセンス契約締結を発表	12月、三重富士通セミコンダクター（株）設立。台湾UMC社が資本参加
’15年		4月 SuVolta社の超低消費電力技術の知的財産権を取得
’15年		11月半導体製造ライン（前工程）に旋回流誘引型成層空調を採用
’16年		4月 Kilopass社と三重富士通セミコンダクターがテクノロジー開発のパートナーシップを発表
		4月 Deeply Depleted Channel（DDC）によるニア／サブスレッショルド技術でエネルギー消費を低減
		8月カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ「NRAM」のライセンス供与および商品化に向けた共同開発で合意

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