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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
9. 接触孔
为了将晶体管的三个电极即栅极、源极、漏极透過介质膜之上的金属层相互连接，要对介质膜进行开孔（接触孔）并填充W（钨）。
插件钨填充：於接触孔内填充钨。
插件钨抛光：对表面进行抛光，去除多余的钨，使得钨仅留在接触孔的内部。
9-1. 接触孔抗蚀剂图案形成
形成了接触孔的抗蚀剂图案。
9-2. 接触孔蚀刻
将接触孔抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻在介质膜内形成接触孔。蚀刻之后，去除抗蚀剂图案。接触孔极小且深（高宽比），为控制孔的直径和深度需要非常细心。
9-3. プ插件钨填充
使用CVD法在硅晶片的表面形成钨膜，并填充接触孔。
9-4. 插件钨抛光
抛光表面，去除多余的钨膜。钨仅留在接触孔的内部。