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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
9. 接触孔

半导体晶元的制造过程 »

为了将晶体管的三个电极即栅极、源极、漏极透過介质膜之上的金属层相互连接,要对介质膜进行开孔(接触孔)并填充W(钨)。

插件钨填充:於接触孔内填充钨。

插件钨抛光:对表面进行抛光,去除多余的钨,使得钨仅留在接触孔的内部。

索引

9-1. 接触孔抗蚀剂图案形成

形成了接触孔的抗蚀剂图案。


9-2. 接触孔蚀刻

将接触孔抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻在介质膜内形成接触孔。蚀刻之后,去除抗蚀剂图案。接触孔极小且深(高宽比),为控制孔的直径和深度需要非常细心。


9-3. プ插件钨填充

使用CVD法在硅晶片的表面形成钨膜,并填充接触孔。


9-4. 插件钨抛光

抛光表面,去除多余的钨膜。钨仅留在接触孔的内部。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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