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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
1. 元件隔离
晶体管是在硅晶片的表面附近形成晶。
为保证每个晶体管的独立运行，需要阻止与之相邻的晶体管的干扰。因此，晶体管的形成区域是相互隔离的。实现这样的元件隔离的方法有好几种。
在这里我们介绍的是一种叫做STI（Shallow Trench Isolation）的技术。
1-1. 氧化+氮化膜生长
首先通过氧化硅晶片形成氧化硅膜，接着利用CVD法形成氮化硅膜。
1-2. 抗蚀剂图案形成
形成了一个抗蚀剂图案。
1-3. 浅沟槽形成
将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻氮化硅膜、氧化硅膜、硅晶片以切割浅沟槽。当浅沟槽被切割之后，去除抗蚀剂图案。
1-4. 埋氧膜生长
使用CVD法形成厚氧化硅膜以填充沟槽。
1-5. 埋氧膜抛光
抛光表面去除多余氧化硅膜，使氧化硅膜仅留在沟槽内部。
1-6. 去除氮化膜
通过化学处理去除氮化硅膜。