ホーム

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
1. 元件隔离

半导体晶元的制造过程 »

晶体管是在硅晶片的表面附近形成晶。
为保证每个晶体管的独立运行,需要阻止与之相邻的晶体管的干扰。因此,晶体管的形成区域是相互隔离的。实现这样的元件隔离的方法有好几种。
在这里我们介绍的是一种叫做STI(Shallow Trench Isolation)的技术。

索引

1-1. 氧化+氮化膜生长

首先通过氧化硅晶片形成氧化硅膜,接着利用CVD法形成氮化硅膜。


1-2. 抗蚀剂图案形成

形成了一个抗蚀剂图案。


1-3. 浅沟槽形成

将抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻氮化硅膜、氧化硅膜、硅晶片以切割浅沟槽。当浅沟槽被切割之后,去除抗蚀剂图案。


1-4. 埋氧膜生长

使用CVD法形成厚氧化硅膜以填充沟槽。


1-5. 埋氧膜抛光

抛光表面去除多余氧化硅膜,使氧化硅膜仅留在沟槽内部。


1-6. 去除氮化膜

通过化学处理去除氮化硅膜。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

A+ A-

PAGE TOP