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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
3. 栅极氧化及闸形成
这是决定晶体管性能的最重要的工序。
因为栅极氧化影响晶体管的性能及可靠性极大，所以需要在晶片表面形成分布均匀的高密度薄膜。
由于闸形成的尺寸也会对晶体管的性能产生重要影响，因此有必要对光刻胶形成以及栅极蚀刻进行严格的尺寸管理。
并且，利用CVD法来沉积多晶硅可形成栅电极。
3-1. 栅极氧化
通过化学处理清洁硅表面，然后将其氧化，形成栅氧化膜。栅氧化膜的厚度及质量会极大影响晶体管的性能和可靠性，因此它必须是一个分布均匀的高密度薄膜。
3-2. 多晶硅生长
利用CVD法沉积多晶硅（多结晶硅）形成栅电极。
3-3. 栅极抗蚀剂图案形成
形成了一个栅极抗蚀剂图案。
3-4. 栅极蚀刻
将栅极抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻多晶硅和栅氧化膜形成闸。
去除抗蚀剂图案。
闸形成的尺寸会对晶体管的性能产生重要影响，因此有必要对栅极抗蚀剂图案形成及闸极蚀刻进行严格的尺寸管理。