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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
3. 栅极氧化及闸形成
这是决定晶体管性能的最重要的工序。
因为栅极氧化影响晶体管的性能及可靠性极大,所以需要在晶片表面形成分布均匀的高密度薄膜。
由于闸形成的尺寸也会对晶体管的性能产生重要影响,因此有必要对光刻胶形成以及栅极蚀刻进行严格的尺寸管理。
并且,利用CVD法来沉积多晶硅可形成栅电极。
这是决定晶体管性能的最重要的工序。
因为栅极氧化影响晶体管的性能及可靠性极大,所以需要在晶片表面形成分布均匀的高密度薄膜。
由于闸形成的尺寸也会对晶体管的性能产生重要影响,因此有必要对光刻胶形成以及栅极蚀刻进行严格的尺寸管理。
并且,利用CVD法来沉积多晶硅可形成栅电极。