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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
3. 栅极氧化及闸形成

半导体晶元的制造过程 »

这是决定晶体管性能的最重要的工序。
因为栅极氧化影响晶体管的性能及可靠性极大,所以需要在晶片表面形成分布均匀的高密度薄膜。
由于闸形成的尺寸也会对晶体管的性能产生重要影响,因此有必要对光刻胶形成以及栅极蚀刻进行严格的尺寸管理。
并且,利用CVD法来沉积多晶硅可形成栅电极。

索引

3-1. 栅极氧化

通过化学处理清洁硅表面,然后将其氧化,形成栅氧化膜。栅氧化膜的厚度及质量会极大影响晶体管的性能和可靠性,因此它必须是一个分布均匀的高密度薄膜。


3-2. 多晶硅生长

利用CVD法沉积多晶硅(多结晶硅)形成栅电极。


3-3. 栅极抗蚀剂图案形成

形成了一个栅极抗蚀剂图案。


3-4. 栅极蚀刻

将栅极抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻多晶硅和栅氧化膜形成闸。
去除抗蚀剂图案。
闸形成的尺寸会对晶体管的性能产生重要影响,因此有必要对栅极抗蚀剂图案形成及闸极蚀刻进行严格的尺寸管理。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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