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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
4. LDD形成
LDD（Lightly Doped Drain，轻掺杂漏）的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响（操作速度变慢等）。
LDD也被称为扩展。
n型LDD：在n型MOS的区域内加入n型杂质（如磷，砷等）。
p型LDD：在p型MOS的区域内加入p型杂质（如硼等）。
4-1. n型LDD
形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案，在n型MOS区域内掺入n型杂质（比如，磷（P）、砷（As））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。
4-2. p型LDD
形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案，在p型MOS区域内掺入p型杂质（比如，硼（B））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。