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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
4. LDD形成

半导体晶元的制造过程 »

LDD(Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响(操作速度变慢等)。
LDD也被称为扩展。

n型LDD:在n型MOS的区域内加入n型杂质(如磷,砷等)。

p型LDD:在p型MOS的区域内加入p型杂质(如硼等)。

索引

4-1. n型LDD

形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案,在n型MOS区域内掺入n型杂质(比如,磷(P)、砷(As))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。


4-2. p型LDD

形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案,在p型MOS区域内掺入p型杂质(比如,硼(B))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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