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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
4. LDD形成
LDD(Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响(操作速度变慢等)。
LDD也被称为扩展。
n型LDD:在n型MOS的区域内加入n型杂质(如磷,砷等)。
p型LDD:在p型MOS的区域内加入p型杂质(如硼等)。
LDD(Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响(操作速度变慢等)。
LDD也被称为扩展。
n型LDD:在n型MOS的区域内加入n型杂质(如磷,砷等)。
p型LDD:在p型MOS的区域内加入p型杂质(如硼等)。