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BEOL(Back End of Line:布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
10. 金属-1

半导体晶元的制造过程 »

形成介质膜,挖沟槽,於沟槽填充Cu(铜)。
仅向沟槽内填充Cu(铜)的方式也被称为单镶嵌(single damascene)。

金属-1 Cu(铜)填充:通过电镀的方式向沟槽填充Cu(铜)。

金属-1 Cu(铜)抛光:对表面进行抛光以去除Cu膜(铜膜),使得Cu(铜)仅留在沟槽内部。

索引

10-1. 金属-1介质膜生长

使用CVD法在硅晶片的表面形成厚的硅氧化膜或者类似素材。


10-2. 金属-1沟槽抗蚀剂图案形成

形成了一个金属-1沟槽抗蚀剂图案。


10-3. 金属-1沟槽蚀刻

メタル-将金属-1沟槽抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻在介质膜内形成沟槽。蚀刻之后,去除抗蚀剂图案。


10-4. 金属-1铜填充

通过电镀形成铜膜,填充沟槽。


10-5. 金属-1铜抛光

抛光表面,去除多余的铜膜,使得铜只留在沟槽内部。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
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