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BEOL(Back End of Line:布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
10. 金属-1
形成介质膜,挖沟槽,於沟槽填充Cu(铜)。
仅向沟槽内填充Cu(铜)的方式也被称为单镶嵌(single damascene)。
金属-1 Cu(铜)填充:通过电镀的方式向沟槽填充Cu(铜)。
金属-1 Cu(铜)抛光:对表面进行抛光以去除Cu膜(铜膜),使得Cu(铜)仅留在沟槽内部。
形成介质膜,挖沟槽,於沟槽填充Cu(铜)。
仅向沟槽内填充Cu(铜)的方式也被称为单镶嵌(single damascene)。
金属-1 Cu(铜)填充:通过电镀的方式向沟槽填充Cu(铜)。
金属-1 Cu(铜)抛光:对表面进行抛光以去除Cu膜(铜膜),使得Cu(铜)仅留在沟槽内部。