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BEOL（Back End of Line：布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分）
10. 金属-1
形成介质膜，挖沟槽，於沟槽填充Cu（铜）。
仅向沟槽内填充Cu（铜）的方式也被称为单镶嵌（single damascene）。
金属-1 Cu（铜）填充：通过电镀的方式向沟槽填充Cu（铜）。
金属-1 Cu（铜）抛光：对表面进行抛光以去除Cu膜（铜膜），使得Cu（铜）仅留在沟槽内部。
10-1. 金属-1介质膜生长
使用CVD法在硅晶片的表面形成厚的硅氧化膜或者类似素材。
10-2. 金属-1沟槽抗蚀剂图案形成
形成了一个金属-1沟槽抗蚀剂图案。
10-3. 金属-1沟槽蚀刻
メタル-将金属-1沟槽抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻在介质膜内形成沟槽。蚀刻之后，去除抗蚀剂图案。
10-4. 金属-1铜填充
通过电镀形成铜膜，填充沟槽。
10-5. 金属-1铜抛光
抛光表面，去除多余的铜膜，使得铜只留在沟槽内部。