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BEOL（Back End of Line：布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分）
11. 金属-2
形成介质膜，挖孔及沟槽，於孔和沟槽填充Cu（铜）。通过同时向孔及沟槽填充Cu（铜）的方式被称作双镶嵌（dual damascene）。
金属-2 Cu（铜）填充：通过电镀的方式向孔及沟槽填充Cu（铜）。
金属-2 Cu（铜）抛光：对表面进行抛光以去除Cu膜（铜膜），使得Cu（铜）仅留在孔及沟槽内部。
按照电路规模，通过重复“11-1.金属-2介质膜生长”到“11-6.金属-1铜抛光”的步骤，堆叠布线。
索引
11-1. 金属-2介质膜生长
使用CVD法在硅晶片的表面形成厚的硅氧化膜或者类似素材。
11-2. 金属-2导通孔抗蚀剂图案形成
形成了一个导通孔抗蚀剂图案。
11-3. 金属-2导通孔蚀刻
以导通孔抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻在介质膜上形成导通孔。蚀刻之后，去除抗蚀剂图案。
11-4. 金属-2沟槽抗蚀剂图案形成
形成了一个金属-2沟槽抗蚀剂图案。
11-5. 金属-2沟槽蚀刻
将金属-2沟槽抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻在介质膜内形成沟槽。蚀刻之后，去除抗蚀剂图案。
11-6. 金属-2铜填充
通过电镀形成铜膜，填充导通孔及沟槽。
11-7. 金属-2铜抛光
藉由抛光表面，去除多余的铜膜，使得铜只留在导通孔及沟槽内部。