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BEOL(Back End of Line:布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
11. 金属-2
形成介质膜,挖孔及沟槽,於孔和沟槽填充Cu(铜)。通过同时向孔及沟槽填充Cu(铜)的方式被称作双镶嵌(dual damascene)。
金属-2 Cu(铜)填充:通过电镀的方式向孔及沟槽填充Cu(铜)。
金属-2 Cu(铜)抛光:对表面进行抛光以去除Cu膜(铜膜),使得Cu(铜)仅留在孔及沟槽内部。
按照电路规模,通过重复“11-1.金属-2介质膜生长”到“11-6.金属-1铜抛光”的步骤,堆叠布线。