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BEOL(Back End of Line:布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
11. 金属-2

半导体晶元的制造过程 »

形成介质膜,挖孔及沟槽,於孔和沟槽填充Cu(铜)。通过同时向孔及沟槽填充Cu(铜)的方式被称作双镶嵌(dual damascene)。
 金属-2 Cu(铜)填充:通过电镀的方式向孔及沟槽填充Cu(铜)。
 金属-2 Cu(铜)抛光:对表面进行抛光以去除Cu膜(铜膜),使得Cu(铜)仅留在孔及沟槽内部。
按照电路规模,通过重复“11-1.金属-2介质膜生长”到“11-6.金属-1铜抛光”的步骤,堆叠布线。

索引

11-1. 金属-2介质膜生长

使用CVD法在硅晶片的表面形成厚的硅氧化膜或者类似素材。


11-2. 金属-2导通孔抗蚀剂图案形成

形成了一个导通孔抗蚀剂图案。


11-3. 金属-2导通孔蚀刻

以导通孔抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻在介质膜上形成导通孔。蚀刻之后,去除抗蚀剂图案。


11-4. 金属-2沟槽抗蚀剂图案形成

形成了一个金属-2沟槽抗蚀剂图案。


11-5. 金属-2沟槽蚀刻

将金属-2沟槽抗蚀剂图案作为掩模,通过蚀刻在介质膜内形成沟槽。蚀刻之后,去除抗蚀剂图案。


11-6. 金属-2铜填充

通过电镀形成铜膜,填充导通孔及沟槽。


11-7. 金属-2铜抛光

藉由抛光表面,去除多余的铜膜,使得铜只留在导通孔及沟槽内部。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

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