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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
5. 侧壁间隔
为形成上述的LDD及,栅极、源极、漏极的硅化(下述),需要仅在栅极的水平方面(两端)的壁部形成氧化膜。
侧壁氧化膜:在整个晶片表面形成氧化膜。
侧壁蚀刻:在氧化膜上实施异向性(垂直方向)的蚀刻,使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。
为形成上述的LDD及,栅极、源极、漏极的硅化(下述),需要仅在栅极的水平方面(两端)的壁部形成氧化膜。
侧壁氧化膜:在整个晶片表面形成氧化膜。
侧壁蚀刻:在氧化膜上实施异向性(垂直方向)的蚀刻,使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。