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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
5. 侧壁间隔
为形成上述的LDD及，栅极、源极、漏极的硅化（下述），需要仅在栅极的水平方面（两端）的壁部形成氧化膜。
侧壁氧化膜：在整个晶片表面形成氧化膜。
侧壁蚀刻：在氧化膜上实施异向性（垂直方向）的蚀刻，使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。
5-1. 侧壁氧化膜生长
使用CVD法在硅晶片的整个表面形成氧化硅膜。
5-2. 侧壁蚀刻
如果对在整个表面上形成的氧化膜上实施异向性蚀刻，就可以使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。这种不使用抗蚀剂图案的蚀刻方法叫做回蚀。