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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
5. 侧壁间隔

半导体晶元的制造过程 »

为形成上述的LDD及,栅极、源极、漏极的硅化(下述),需要仅在栅极的水平方面(两端)的壁部形成氧化膜。
侧壁氧化膜:在整个晶片表面形成氧化膜。 侧壁蚀刻:在氧化膜上实施异向性(垂直方向)的蚀刻,使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。

索引

5-1. 侧壁氧化膜生长

使用CVD法在硅晶片的整个表面形成氧化硅膜。


5-2. 侧壁蚀刻

如果对在整个表面上形成的氧化膜上实施异向性蚀刻,就可以使得氧化膜仅残留在栅极的侧壁。这种不使用抗蚀剂图案的蚀刻方法叫做回蚀。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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