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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
7. 硅化物
对MOS的三个电极即栅极（多晶硅）、源极、漏极（硅）进行硅化（与金属的化合物）后，可以降低对金属布线层的电阻。同时，也可以降低各自电极滋生的电阻。
硅化：通过化学蚀刻（自对准硅化），选择性地仅去除钴薄膜。
7-1. 钴薄膜沉积（溅射）
使用PVD法（溅射）在硅晶片的表面形成钴薄膜。可用于硅化的金属除了钴，还有镍和钛。
7-2. 钴硅化物形成
如果对表面包裹着钴薄膜的硅晶片进行加热，硅与钴接触的部分将转化为钴硅化物。氧化膜上的钴仍保持为钴不变。
7-3. 除钴
通过化学处理，选择性地仅去除氧化膜上的钴。硅化物残留在栅极、源极与漏极之上。这种通过自对准形成硅化物的方式叫做硅化（自对准硅化）。