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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
7. 硅化物
对MOS的三个电极即栅极(多晶硅)、源极、漏极(硅)进行硅化(与金属的化合物)后,可以降低对金属布线层的电阻。同时,也可以降低各自电极滋生的电阻。
硅化:通过化学蚀刻(自对准硅化),选择性地仅去除钴薄膜。
对MOS的三个电极即栅极(多晶硅)、源极、漏极(硅)进行硅化(与金属的化合物)后,可以降低对金属布线层的电阻。同时,也可以降低各自电极滋生的电阻。
硅化:通过化学蚀刻(自对准硅化),选择性地仅去除钴薄膜。