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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
7. 硅化物

半导体晶元的制造过程 »

对MOS的三个电极即栅极(多晶硅)、源极、漏极(硅)进行硅化(与金属的化合物)后,可以降低对金属布线层的电阻。同时,也可以降低各自电极滋生的电阻。

硅化:通过化学蚀刻(自对准硅化),选择性地仅去除钴薄膜。

索引

7-1. 钴薄膜沉积(溅射)

使用PVD法(溅射)在硅晶片的表面形成钴薄膜。可用于硅化的金属除了钴,还有镍和钛。


7-2. 钴硅化物形成

如果对表面包裹着钴薄膜的硅晶片进行加热,硅与钴接触的部分将转化为钴硅化物。氧化膜上的钴仍保持为钴不变。


7-3. 除钴

通过化学处理,选择性地仅去除氧化膜上的钴。硅化物残留在栅极、源极与漏极之上。这种通过自对准形成硅化物的方式叫做硅化(自对准硅化)。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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