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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
6. 源极与漏极
n型MOS与p型MOS领域内会各自形成源极和漏极。通常情况下，晶体管左右对称，所以形状也相同。电源的连接方向决定哪一端是源极或漏极。
p型源极与漏极：p型MOS区域内掺入p型杂质（如硼等）。
n型源极与漏极：n型MOS区域内掺入n型杂质（如磷，砷等）。
6-1. p型源极/漏极
形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案，在p型MOS区域内掺入p型杂质（比如，硼（B））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。
6-2. n型源极/漏极
形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案，在n型MOS区域内掺入n型杂质（比如，磷（P）、砷（As））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。