ホーム
FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
2. 井道形成
在一个芯片中,分别制作出n型MOS晶体管与p型MOS晶体管。
在各自的晶体管制作区域,以适当的浓度的注入各个晶体管所需的杂质(n型MOS:p井,n沟道;p型MOS: n井,p沟道)。另外,可通过追加掺入不同的杂质及不同浓度的剂量來分别制作不同电压/特征的晶体管。
重复“2-3.n井”以及“2-4.p井”
在一个芯片中,分别制作出n型MOS晶体管与p型MOS晶体管。
在各自的晶体管制作区域,以适当的浓度的注入各个晶体管所需的杂质(n型MOS:p井,n沟道;p型MOS: n井,p沟道)。另外,可通过追加掺入不同的杂质及不同浓度的剂量來分别制作不同电压/特征的晶体管。
重复“2-3.n井”以及“2-4.p井”