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FEOL（Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分）
2. 井道形成
在一个芯片中，分别制作出n型MOS晶体管与p型MOS晶体管。
在各自的晶体管制作区域，以适当的浓度的注入各个晶体管所需的杂质（n型MOS：p井，n沟道；p型MOS: n井，p沟道）。另外，可通过追加掺入不同的杂质及不同浓度的剂量來分别制作不同电压/特征的晶体管。
重复“2-3.n井”以及“2-4.p井”
2-1. p井
形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案，在n型MOS区域内掺入p型杂质（比如，硼（B））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。
2-2. n井
形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案，在p型MOS区域内掺入n型杂质（比如，磷（P））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。
2-3. n沟道
形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案，在n型MOS区域内掺入p型杂质（比如，硼（B））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。
2-4. p沟道
形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案，在p型MOS区域内掺入n型杂质（比如，砷（As））。
掺入之后，去除抗蚀剂图案。