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FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
2. 井道形成

半导体晶元的制造过程 »

在一个芯片中,分别制作出n型MOS晶体管与p型MOS晶体管。
在各自的晶体管制作区域,以适当的浓度的注入各个晶体管所需的杂质(n型MOS:p井,n沟道;p型MOS: n井,p沟道)。另外,可通过追加掺入不同的杂质及不同浓度的剂量來分别制作不同电压/特征的晶体管。
重复“2-3.n井”以及“2-4.p井”

索引

2-1. p井

形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案,在n型MOS区域内掺入p型杂质(比如,硼(B))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。


2-2. n井

形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案,在p型MOS区域内掺入n型杂质(比如,磷(P))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。


2-3. n沟道

形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案,在n型MOS区域内掺入p型杂质(比如,硼(B))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。


2-4. p沟道

形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案,在p型MOS区域内掺入n型杂质(比如,砷(As))。
掺入之后,去除抗蚀剂图案。

补充说明

FEOL(Front End of Line : 基板工序、半导体晶元制造工序的前半部分)
| 1. 元件隔离| 2. 井道形成| 3. 栅极氧化及闸形成| 4. LDD形成|
5. 侧壁间隔| 6.源极与漏极| 7. 硅化物| 8. 介质膜|
9. 接触孔|

BEOL (Back End of Line: 布线工序、半导体晶元制造工序的后半部分)
| 10. 金属-1| 11. 金属-2|

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